污染是可能將新興的芯片生產(chǎn)工業(yè)扼殺于搖籃中的首要問(wèn)題之一。半導(dǎo)體工業(yè)起步于由航空工業(yè)發(fā)展而來(lái)的潔凈室技術(shù)。如今，大規(guī)模的復(fù)雜的潔凈室輔助工業(yè)已經(jīng)形成，潔凈室技術(shù)也與芯片的設(shè)計(jì)及線寬技術(shù)同步發(fā)展。通過(guò)不斷地解決在各個(gè)芯片技術(shù)時(shí)代所存在的污染問(wèn)題，這一工業(yè)自身也得到了發(fā)展。以前的一些小問(wèn)題，有可能成為當(dāng)今芯片生產(chǎn)中足以致命的缺陷。
半導(dǎo)體器件極易受到多種污染物的損害。這些污染物可歸納為以下四類。分別是：
1. 微粒 
2. 金屬離子 
3. 化學(xué)物質(zhì) 
4. 細(xì)菌
微粒：半導(dǎo)體器件，尤其是高密度的集成電路，易受到各種污染的損害。器件對(duì)于污染的敏感度取決于較小的特征圖形的尺寸和晶片表面沉積層的薄度。目前的量度尺寸已經(jīng)降到亞微米級(jí)。一微米（μm）是非常小的。一厘米等于10，000微米。人的頭發(fā)的直徑為100微米。這種非常小的器件尺寸導(dǎo)致器件極易受到由人員，設(shè)備和工藝操作用使用的化學(xué)品所產(chǎn)生的存在于空氣中的顆粒污染的損害。由于特征圖形尺寸越來(lái)越小，膜層越來(lái)越薄，所允許存在的微粒尺寸也必須被控制在更小的尺度上。
由經(jīng)驗(yàn)所得出的法則是微粒的大小要小于器件上zui小的特征圖形尺寸的1/10倍1。直徑為0.03微米的微粒將會(huì)損害0.3微米線寬大小的特征圖形。落于器件的關(guān)鍵部位并毀壞了器件功能的微粒被稱為致命缺陷。致命缺陷還包括晶體缺陷和其它由于工藝過(guò)程引入帶來(lái)的問(wèn)題。在任何晶片上，都存在大量的微粒。有些屬于致命性的，而其它一些位于器件不太敏感的區(qū)域則不會(huì)造成器件缺陷。1994年， SIA將0.18微米設(shè)計(jì)的光刻操作中的缺陷密度定為0.06微米135個(gè)，每平方厘米每層。
金屬離子：半導(dǎo)體器件在整個(gè)晶片上N型和P型的摻雜區(qū)域以及在的N/P 相鄰區(qū)域，都需要具有可控的電阻率。通過(guò)在晶體和晶片上有目的地?fù)诫s特定的摻雜離子來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)這三個(gè)性質(zhì)的控制。非常少量的摻雜物即可實(shí)現(xiàn)我們希望的效果。但遺憾的是，在晶片中出現(xiàn)的極少量的具有電性的污染物也會(huì)改變器件的典型特征，改變它的工作表現(xiàn)和可靠性參數(shù)。
可以引起上述問(wèn)題的污染物稱為可移動(dòng)離子污染物（MICs）。它們是在材料中以離子形態(tài)存在的金屬離子。而且，這些金屬離子在半導(dǎo)體材料中具有很強(qiáng)的可移動(dòng)性。也就是說(shuō)，即便在器件通過(guò)了電性能測(cè)試并且運(yùn)送出去，金屬離子仍可在器件中移動(dòng)從而造成器件失效。遺憾的是，能夠在硅器件中引起這些問(wèn)題的金屬存在于絕大部分的化學(xué)物質(zhì)中。
鈉是在未經(jīng)處理的化學(xué)品中zui常見的可移動(dòng)離子污染物，同時(shí)也是硅中移動(dòng)性zui強(qiáng)的物質(zhì)。因此，對(duì)鈉的控制成為硅片生產(chǎn)的首要目標(biāo)。MIC的問(wèn)題在MOS器件中表現(xiàn)zui為嚴(yán)重，這一事實(shí)促使一些化學(xué)品生產(chǎn)商研制開發(fā)MOS級(jí)或低鈉級(jí)的化學(xué)品。這些標(biāo)識(shí)都意味著較低的可移動(dòng)污染物的等級(jí)。
化學(xué)品：在半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域第三大主要的污染物是不需要的化學(xué)物質(zhì)。工藝過(guò)程中所用的化學(xué)品和水可能會(huì)受到對(duì)芯片工藝產(chǎn)生影響的痕量物質(zhì)的污染。它們將導(dǎo)致晶片表面受到不需要的刻蝕，在器件上生成無(wú)法除去的化合物，或者引起不均勻的工藝過(guò)程。氯就是這樣一種污染物，它在工藝過(guò)程中用到的化學(xué)品中的含量受到嚴(yán)格的控制。
細(xì)菌：細(xì)菌是第四類的主要污染物。細(xì)菌是在水的系統(tǒng)中或不定期清洗的表面生成的有機(jī)物。細(xì)菌一旦在器件上形成，會(huì)成為顆粒狀污染物或給器件表面引入不希望見到的金屬離子。